使用数位液体流量计量计来改善低Ｋ介电溥膜之起始层的方法

摘要

本发明公开了一种用于沈积具有低介电常数之层的方法，所述方法系藉由将一种或多种氧化气体流入处理腔室；将有机矽化合物从大容量储存容器中，以有机矽流速经过数位液体流量计，流到蒸发注射阀；蒸发有机矽化合物，并使该有机矽化合物和一载气流到处理腔室中；保持有机矽流速以沈积一初始层；将成孔剂化合物从大容量储存容器中，以成孔剂流速经过数位液体流量计，流到蒸发注射阀；蒸发成孔剂化合物，并使该成孔剂化合物和一载气流到处理腔室中；当沈积过渡层时，增加第一有机矽流速和第一成孔剂流速；以及保持第二有机矽流速和第二成孔剂流速，以沈积含有成孔剂的有机矽酸盐介电层。