短频道低电压、中电压及高电压互补金氧半导体装置

摘要

本发明揭示一种低电压、中电压与高电压互补金氧半导体装置，其具有与在源极与汲极及闸极下方延伸但未越过该等闸极之中间之该等源极与汲极相同导电率类型的较高缓冲层，且具有自该等较高缓冲层下方延伸至越过该等闸极之该中间之与该等较高缓冲层该相反导电率类型的较低块状缓冲层，以在该等闸极下方形成该两个块状缓冲层之一重叠。可使用两个遮罩层，植入用于NMOS与PMOS FET两者之该等较高缓冲层与该等较低块状缓冲层。该等较高缓冲层连同该等较低块状缓冲层为中电压与高电压装置提供一降低表面电场区域。