发明名称 半导体装置及该半导体装置之制造方法
摘要 本发明之目的为提供一种散热性佳的半导体装置其系使与DRAM 11相接合且用以释出该DRAM之热的散热构件9之至少一部分,自包围该DRAM及散热构件9之周围的保护构件4露出,以保护DRAM 11。
申请公布号 TW200845355 申请公布日期 2008.11.16
申请号 TW097107795 申请日期 2008.03.06
申请人 尼康股份有限公司 发明人 菅谷功
分类号 H01L25/00(2006.01);H01L23/34(2006.01) 主分类号 H01L25/00(2006.01)
代理机构 代理人 陈传岳;郭雨岚
主权项
地址 日本