半导体制造装置之气体供应系统与气体供应累积单元

摘要

本发明系关于一种气体供应系统200，其为自一气体供应源210供应预定气体至一半导体制造装置100之一加工部分110之系统。气体供应系统200包括一连接于气体供应源210及加工部分110之气体供应管路装置220。该气体供应管路装置220具有复数个流体控制器(一手动阀231、一减压阀232、一压力计233、一止回阀234、一第一截流阀235、一第二截流阀236、一流量控制器237及一气体过滤器238)及连接于各别流体控制器231至238之间的位置且形成气体管路221至229之管路构造构件(管路区块241至249)。该等管路构造构件系由一碳材料制成。因此，当将一腐蚀性气体供应至该加工部分110时，可尽可能地阻止一金属污染物混合于一待加工之基材W中。