| 发明名称 |
ＳＯＩ（矽在绝缘体上）基板，彼之制法，以及半导体装置 |
| 摘要 |
本发明提供一种SOI基板，该SOI基板具有的SOI层于使用如玻璃基板等温度上限低的基板的时候也可以实用。另外，本发明还提供使用这种SOI基板的半导体装置。当对具有绝缘表面的基板或绝缘基板接合单晶半导体层时，于形成接合的一面或双面使用以有机矽烷为原材料所成氧化矽膜。根据本发明，可以使用温度上限为700℃以下的基板，例如，玻璃基板，来获得坚固地接合的SOI层。亦即，可以在各边超过一米的大面积基板上形成单晶半导体层。 |
| 申请公布号 |
TW200845291 |
申请公布日期 |
2008.11.16 |
| 申请号 |
TW097109890 |
申请日期 |
2008.03.20 |
| 申请人 |
半导体能源研究所股份有限公司 |
发明人 |
大沼英人;挂端哲弥;饭洼阳一 |
| 分类号 |
H01L21/76(2006.01);H01L21/20(2006.01);H01L21/00(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/76(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
林志刚 |
| 主权项 |
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| 地址 |
日本 |
