制造快闪存储器件的方法

摘要

本发明涉及制造快闪存储器件的方法。在根据本发明一个方面的方法中，在半导体层叠物上形成第一硬掩模膜。通过蚀刻用于硬掩模的绝缘层形成多个第一硬掩模图案。在所述多个第一硬掩模图案的顶表面和侧壁上形成隔离物。在包括隔离物的整个表面上形成第二硬掩模膜。通过实施蚀刻方法在隔离物之间的空间中形成第二硬掩模图案，以使得暴露隔离物的顶表面。除去隔离物。因此，通过使用具有曝光设备分辨率或更小的节距的硬掩模图案可以形成栅极图案。

主权项

1.一种制造快闪存储器件的方法，所述方法包括：在半导体衬底上形成第一硬掩模膜；通过蚀刻所述第一硬掩模膜的区域形成多个第一硬掩模图案，其中每个所述第一硬掩模图案包括顶表面和多个侧壁；形成包围所述第一硬掩模图案的多个隔离物，每个隔离物与相邻的隔离物间隔开；在所述隔离物上和由所述隔离物限定的空间之间形成第二硬掩模膜；蚀刻所述第二硬掩模膜直到基本上暴露所述隔离物的顶表面，使得在所述隔离物限定的空间中形成多个第二硬掩模图案；和除去所述隔离物以得到交替布置的第一硬掩模图案和第二硬掩模图案。