发明名称 SEMICONDUCTOR PROCESS INTEGRATING SOURCE/DRAIN STRESSORS AND INTERLEVEL DIELECTRIC LAYER STRESSORS
摘要
申请公布号 EP1989729(A2) 申请公布日期 2008.11.12
申请号 EP20070756764 申请日期 2007.02.08
申请人 FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC. 发明人 ZHANG, DA;ADAMS, VANCE H.;NGUYEN, BICH-YEN;GRUDOWSKI, PAUL A.
分类号 H01L21/336;H01L29/165 主分类号 H01L21/336
代理机构 代理人
主权项
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