| 发明名称 | 集成电路装置及其形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种包括具有碳纳米管的电互连结构的集成电路装置及其形成方法。具体而言，集成电路装置包括包含碳纳米管的导电互连。电互连包括第一金属区域。在该第一金属区域的上表面上提供第一导电屏蔽层，并在该第一导电屏蔽层上提供第二金属区域。该第一导电屏蔽层包括抑制第一金属从第一金属区域向外扩散的材料，并且第二金属区域在其中包括催化金属。在第二金属区域上提供其中具有开口的电绝缘层。在开口中提供多个碳纳米管作为垂直电互连。 | ||
| 申请公布号 | CN101304019A | 申请公布日期 | 2008.11.12 |
| 申请号 | CN200810127788.7 | 申请日期 | 2008.01.14 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 元皙俊;姜虎圭 |
| 分类号 | H01L23/522(2006.01);H01L23/532(2006.01);H01L23/552(2006.01);H01L21/768(2006.01) | 主分类号 | H01L23/522(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波 |
| 主权项 | 1、一种集成电路装置，包括：其中具有第一金属的第一金属区域，位于集成电路衬底上；第一导电屏蔽层，在所述第一金属区域的表面上，所述第一导电屏蔽层包括抑制所述第一金属从所述第一金属区域向外扩散的材料；其中具有催化金属的第二金属区域，在所述第一导电屏蔽层上；电绝缘层，在所述第二金属区域上，所述电绝缘层在其中具有暴露一部分所述第二金属区域的开口；和多个碳纳米管，在所述开口中延伸，并且通过所述第二金属区域的暴露部分和所述第一导电屏蔽层电耦合到所述第一金属区域。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||