| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 提供功能更高且可靠的半导体器件和无需使装置或工艺复杂化就能够以高产率低成本制造该半导体器件的技术。形成第一导电层和第二导电层，其中至少一层含有铟、锡、铅、铋、钙、锰或锌中的一种或多种；或在有机化合物层与第一导电层之间和在有机化合物层与第二导电层之间的至少一个界面处进行氧化处理。在第一衬底上形成并与第一衬底之间夹着剥离层的第一导电层、有机化合物层和第二导电层可以借助剥离层从第一衬底上剥离并转置到第二衬底上。 | ||
| 申请公布号 | CN101305465A | 申请公布日期 | 2008.11.12 |
| 申请号 | CN200680041872.6 | 申请日期 | 2006.11.02 |
| 申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 楠本直人;大泽信晴;汤川干央;道前芳隆 |
| 分类号 | H01L27/105(2006.01);H01L21/28(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L27/10(2006.01);H01L27/28(2006.01);H01L29/417(2006.01);H01L29/423(2006.01);H01L29/49(2006.01);H01L29/786(2006.01);H01L51/05(2006.01) | 主分类号 | H01L27/105(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 段晓玲;孙秀武 |
| 主权项 | 1.半导体器件制造方法，包括：在第一衬底上形成第一导电层；对第一导电层的表面进行氧化处理；在经过氧化处理的第一导电层上形成有机化合物层；在有机化合物层上形成第二导电层以制造存储元件；将具有挠性的第二衬底粘贴到第二导电层上；从第一衬底上剥离存储元件；和将该存储元件用粘合层粘贴到第三衬底上，其中第二导电层包含铟、锡、铅、铋、钙、锰和锌中的一种或多种。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||