| 发明名称 | 微片式电光调Q激光器的结构 | ||
| 摘要 | 本发明公开了微片式电光调Q激光器的结构，其包括半导体激光器、光学耦合系统以及微片激光器，微片激光器包括激光增益介质、偏振起偏器、电光调Q晶体或透明陶瓷，微片激光器的激光入射面和出射面分别镀有前腔膜和后腔膜，其中微片激光器中各光学元件通过光胶或深化光胶粘结成一整体，结构紧凑稳定，易于大规模生产，制成的产品体积小，且成本低，从而使电光调Q激光器有可能获得大规模应用。 | ||
| 申请公布号 | CN101304150A | 申请公布日期 | 2008.11.12 |
| 申请号 | CN200810071319.8 | 申请日期 | 2008.07.02 |
| 申请人 | 福州高意通讯有限公司 | 发明人 | 吴砺;陈新;卢秀爱;陈卫民;凌吉武 |
| 分类号 | H01S3/08(2006.01);H01S3/16(2006.01);H01S3/108(2006.01);H01S3/109(2006.01);H01S3/115(2006.01);H01S3/00(2006.01) | 主分类号 | H01S3/08(2006.01) |
| 代理机构 | 代理人 | ||
| 主权项 | 1、微片式电光调Q激光器的结构，包括半导体激光器、光学耦合系统以及微片激光器，微片激光器包括激光增益介质、偏振起偏器、电光调Q晶体或透明陶瓷，微片激光器的激光入射面和出射面分别镀有前腔膜和后腔膜，其特征在于：微片激光器中各光学元件通过光胶或深化光胶粘结成一整体。 | ||
| 地址 | 350014福建省福州市晋安区福兴大道39号(福州1108信箱) | ||