发明名称 一种新型高效发光二极管LED结构
摘要 本发明涉及一种新型高效发光二极管LED结构,其特征在于,包括具有凹槽结构的硅基材,在硅基材的支撑体的顶面设有绝缘层,其每一个凹槽底面和内侧面上设有反光层,n型电极和LED芯片设于每一个凹槽中,透明导电电极层设于LED芯片和硅基的支撑体上,在透明导电层下面LED芯片和硅基材的支撑体之间的空隙由透明绝缘材料填充,金属焊盘设于支撑体上端的透明导电电极层上。本发明的优点是可以将发光二极管LED的出光效率提高30%-50%。
申请公布号 CN101303105A 申请公布日期 2008.11.12
申请号 CN200810038342.7 申请日期 2008.05.30
申请人 梁秉武;梁秉文 发明人 梁秉文
分类号 F21S2/00(2006.01);F21V19/00(2006.01);F21V21/00(2006.01);F21V7/04(2006.01);H01L33/00(2006.01);F21Y101/02(2006.01) 主分类号 F21S2/00(2006.01)
代理机构 上海申汇专利代理有限公司 代理人 翁若莹
主权项 1.一种新型高效发光二极管LED结构,其特征在于,包括具有凹槽结构的硅基材(1),在硅基材(1)的支撑体的顶面设有绝缘层(2),其每一个凹槽底面和内侧面上设有反光层(3),n型电极(4)和LED芯片(5)设于每一个凹槽中,透明导电电极层(6)设于LED芯片(5)和硅基的支撑体上,在透明导电层(6)下面LED芯片(5)和硅基材(1)的支撑体之间的空隙由透明绝缘材料填充,金属焊盘(7)设于支撑体上端的透明导电电极层(6)上。
地址 110011辽宁省沈阳市沈河区大南街25-3号4-3-1