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Es ist eine vereinheitlichte Teststruktur offenbart, die auf allen Ebenen eines Halbleiterbauelements anwendbar ist, wobei sie umfasst: eine Stromwegkette mit einer ersten Halbkette und einer zweiten Halbkette, wobei jede Halbkette untere Metallisierungssegmente, obere Metallisierungssegmente, eine isolierende Schicht zwischen den unteren Metallisierungssegmenten und den oberen Metallisierungssegmenten und Verbindungssegmente umfasst. Jedes der Verbindungssegmente ist elektrisch mit einem Kontaktgebiet eines der unteren Metallisierungssegmente und mit einem Kontaktgebiet eines der oberen Metallisierungssegmente verbunden, um damit das jeweilige untere Metallisierungssegment und das jeweilige obere Metallisierungssegment elektrisch zu verbinden, und die erste Halbkette und die zweite Halbkette weisen eine unterschiedliche Konfiguration auf.
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