形成半导体器件的精细图案的方法

摘要

本发明公开一种形成半导体器件的精细图案的方法，所述方法包括在具有底层的基板上形成沉积膜。沉积膜包括第一、第二和第三掩模薄膜。所述方法还包括在第三掩模薄膜上形成光阻图案，将第三掩模薄膜图案化以形成沉积图案，以及在沉积图案的侧壁上形成非晶碳图案。所述方法还包括在沉积图案和非晶碳图案上填充旋涂碳层，抛光旋涂碳层、非晶碳图案和光阻图案以露出第三掩模图案，以及以非晶碳图案作为蚀刻掩模来执行蚀刻工序，以露出第一掩模薄膜。蚀刻工序移除第三掩模图案和露出的第二掩模图案。所述方法还包括移除旋涂碳层和非晶碳图案，以及以第二掩模图案作为蚀刻掩模来形成第一掩模图案。

主权项

1.一种形成半导体器件的精细图案的方法，包括：在具有底层的基板上形成层叠层，所述层叠层包括第一、第二和第三掩模薄膜；在所述第三掩模薄膜上形成光阻图案；使用所述光阻图案作为蚀刻掩模，将所述第三掩模薄膜图案化，以形成包括第三掩模图案和所述光阻图案的第一叠层图案；在包括所述第一叠层图案的所得结构上形成非晶碳层；将所述非晶碳层选择性地图案化，以在所述第一叠层图案的侧壁上形成非晶碳图案；使用所述非晶碳图案和所述光阻图案作为蚀刻掩模，将所述第二掩模薄膜图案化，以形成第二掩模图案，从而形成包括所述非晶碳图案、所述第一叠层图案和所述第二掩模图案的第二叠层图案；在所述第二叠层图案上形成旋涂碳层；将所述旋涂碳层抛光，以露出所述第三掩模图案；使用所述非晶碳图案和所述旋涂碳层作为蚀刻掩模来执行蚀刻工序，以露出所述第一掩模薄膜，从而移除所述第三掩模图案和露出的第二掩模图案；移除所述旋涂碳层和所述非晶碳图案；以及使用所述第二掩模图案作为蚀刻掩模，选择性地蚀刻所述第一掩模薄膜，以形成第一掩模图案。