| 发明名称 | 强电介质存储元件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种强电介质存储元件的制造方法包括：在形成了晶体管的衬底(10)的表面上，形成易于淀积强介质电容器部分的构件的材料的第1区域(24)，和比第1区域(24)难以淀积用于形成强介质电容器部分的材料的第2区域(26)的工序；以及对衬底(10)供给材料，在衬底(10)的第1区域(24)上形成第1电极(32)、强电介质膜(34)和第2电极(36)的工序。 | ||
| 申请公布号 | CN100431137C | 申请公布日期 | 2008.11.05 |
| 申请号 | CN200410039795.3 | 申请日期 | 2000.06.02 |
| 申请人 | 精工爱普生株式会社 | 发明人 | 下田达也;西川尚男 |
| 分类号 | H01L21/82(2006.01);H01L21/8239(2006.01);H01L27/10(2006.01) | 主分类号 | H01L21/82(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 浦柏明;叶恺东 |
| 主权项 | 1.一种具备在基体材料上具有第1电极、强电介质膜和第2电极的层叠结构的电容器部分的强电介质存储元件的制造方法，具备：在基体材料的表面上形成第1区域和位于比上述第1区域更上方的第2区域的工序，上述第1区域具有在基体材料的表面上优先地淀积用于形成构成上述电容器部分的第1电极、强电介质膜和第2电极中至少一个构件的材料的表面特性，上述第2区域具有与上述第1区域比较难以淀积用于形成构成上述电容器部分的至少一个构件的材料表面特性；以及对上述基体材料，提供用于形成构成上述电容器部分的至少一个构件的材料，在上述第1区域上有选择地形成上述该构件的工序，对上述基体材料进行电极材料的成膜，在上述基体材料的上述第1区域上形成上述第1电极；对上述基体材料进行强介质材料的成膜，在上述第1电极上形成上述强电介质膜；以及对上述基体材料进行电极材料的成膜，在上述强电介质膜上形成上述第2电极。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||