光生伏打元件及其制造方法

摘要

本发明提供一种光生伏打元件，在n型单晶硅基板的主面上，依次形成i型非晶硅膜和由非晶氮化硅等构成的防止反射膜。在n型单晶硅基板的背面，相邻地设置正极和负极。正极包含依次形成于n型单晶硅基板背面上的i型非晶硅膜、p型非晶硅膜、背面电极和集电极。负极包含依次形成于n型单晶硅基板背面上的i型非晶硅膜、n型非晶硅膜、背面电极和集电极。

主权项

1.一种光生伏打元件，其特征在于：包括：具有一个面和另一面的结晶类半导体；本征的第1非晶类半导体膜；包含表示一导电类型的杂质的第2非晶类半导体膜；第1电极；包含表示与所述一导电类型不同的另一导电类型的杂质的半导体层；和第2电极；在所述结晶类半导体的所述一个面的第1区域中，顺序形成所述第1非晶类半导体膜、所述第2非晶类半导体膜和所述第1电极，在所述结晶类半导体的所述一个面的第2区域中，顺序形成所述半导体层和所述第2电极。