构成用于腐蚀FINFET的硅翅的最终硬掩模的三掩模方法

摘要

本文给出了一种构成用于腐蚀FinFET的硅翅、源/漏硅区、以及硅台面的最终硬掩模的三掩模方法，该硅台面用于诸如电阻器、二极管和电容器的非FinFET器件。更具体地，第一掩模用于产生芯模；第二掩模用于图案化芯模的侧壁隔层；第三掩模用于图案化由侧壁隔层之一连接的箱形结构。提供了栅导体向箱形结构的对准。

主权项

1.一种用于制作翅型场效应晶体管即FinFET的方法，所述方法包括以下步骤：在硅层结构的上方形成变形H形结构，其中所述形成变形H形结构的步骤包括在与所述变形H形结构隔开的所述硅层结构中形成对准标记；将所述变形H形结构图案转移到所述硅层结构的硅层中，使得所述硅层的一部分具有包括由翅连接的两个相对箱形结构的所述变形H形结构；在所述硅层的所述箱形结构之间形成栅导体，其中所述栅导体与所述翅交叉，并且，其中所述形成栅导体的步骤使用所述对准标记，使所述栅导体与所述变形H形结构对准；在所述栅导体上形成栅侧壁隔层，其中所述栅侧壁隔层只存在于所述栅导体上，而不存在于所述硅层的所述变形H形结构上；以及在所述硅层的所述变形H形结构上生长额外的硅，其中所述形成变形H形结构的步骤包括：在所述硅层结构上形成芯模；围绕所述芯模形成侧壁隔层；去除所述芯模并在原位留下所述侧壁隔层；去除部分所述侧壁隔层；以及在所述侧壁隔层的一部分上形成掩模，使得剩余的侧壁隔层连接所述掩模并产生所述变形H形结构。