发明名称 藉由粗糙化以改善光萃取之发光二极体
摘要 一种半导体发光二极体(LED)装置之制造系统与方法,其系藉由在LED装置上形成一n型氮化镓(nGaN)层制造而成;以及使nGaN层之表面粗糙化以自LED装置内部取出光。
申请公布号 TW200843149 申请公布日期 2008.11.01
申请号 TW096149357 申请日期 2007.12.21
申请人 旭明光电股份有限公司 发明人 陈长安;段忠;朱振甫;郑好钧;樊旭
分类号 H01L33/00(2006.01);H01L21/00(2006.01);H01L29/24(2006.01) 主分类号 H01L33/00(2006.01)
代理机构 代理人 周良谋;周良吉
主权项
地址 苗栗县竹南镇新竹科学工业园区科中路13号7楼