| 摘要 |
本发明提供一种可从晶格常数与半导体基板不同之半导体层对于通道部有效地施加应力，藉此谋求载子迁移率之提升而可达成高功能化之半导体装置。本发明之半导体装置1系包括：闸极电极7，其经由闸极绝缘膜5而设于半导体基板3上；及半导体层(应力施加层)9，其藉由磊晶成长而形成于在闸极电极7之两侧下挖半导体基板3表面之部分；其中半导体层9系晶格常数与半导体基板3不同之层，而闸极绝缘膜5及闸极电极7系在半导体层9间于将下挖半导体基板3表面之部分埋入之状态下所设置。闸极绝缘膜5相对于半导体基板3表面之深度位置d2系较半导体层9之深度位置d1更浅。 |
