发明名称 | 静电放电防护装置及其制作方法 | ||
摘要 | 本发明系提供一种静电放电防护装置及其制作方法。上述静电放电防护装置,包含一具有一沟槽的基底;一第一掺杂区,形成于该沟槽侧壁及底部下方之该基底之中;一具有一第二掺杂区的多晶矽层,形成于该沟槽之中;一绝缘层,形成该沟槽之顶部;一第三掺杂区,形成于该基底之中,且邻接该绝缘层;一第四掺杂区,形成于该第三掺杂区之中;以及一第一金属插塞及一第二金属插塞,分别电性连接该第四掺杂区及该多晶矽层。上述静电放电防护装置具有沟槽内增加之PN接面的面积,使得可在不增加基底表面使用率的前提下,提升静电放电防护装置的静电耐受度(electrostatic immunity)。 | ||
申请公布号 | TW200843082 | 申请公布日期 | 2008.11.01 |
申请号 | TW096114246 | 申请日期 | 2007.04.23 |
申请人 | 南亚科技股份有限公司 | 发明人 | 萧清南;庄英政;黄仲麟 |
分类号 | H01L27/04(2006.01) | 主分类号 | H01L27/04(2006.01) |
代理机构 | 代理人 | 洪澄文;颜锦顺 | |
主权项 | |||
地址 | 桃园县龟山乡华亚科技园区复兴三路669号 |