形成具单侧埋式导体层之半导体装置之方法

摘要

本发明提供形成具单侧埋式导体层之半导体装置之方法，此方法包含提供具有一沟渠之一基板，且沟渠具有一上部及一下部；形成一半导体元件于沟渠下部并暴露出沟渠上部；形成一第一介电层于沟渠上部的侧壁上；形成一第一导体层于沟渠上部并与第一介电层邻接；形成一第二介电层于第一介电层及第一导体层上；形成复数个闸极结构于基板上，其中至少一闸极结构位于第二介电层上，并与第二介电层偏置一距离；以闸极结构为遮罩，移除部份第二介电层、部份第一介电层，以形成一开口；及形成一第二导体层于开口内，藉此形成单侧埋式导体层与第一导体层电性相连。