具有Ｙ型金属闸极之金氧半导体电晶体及其制程

摘要

一种制作具有金属闸极之金氧半导体电晶体的方法，包含提供基底，基底上方具有闸极牺牲层，侧壁子围绕闸极牺牲层，闸极牺牲层相对两侧之基底内各具有掺杂区。于侧壁子上形成倾斜边缘，并在侧壁子内形成凹槽。形成阻障层、金属闸极在凹槽和倾斜边缘内，且不会发生阻障层阶梯覆盖不良的问题。