减少金属蚀刻制程反应腔室产生沉积物之方法

摘要

本发明系揭露一种减少金属蚀刻制程反应腔室产生沉积物之方法，其系在一具有MOS半导体元件基板表面形成一介电层后，并在介电层上设有一铝金属导电层，该铝金属导电层上设有一图案化光阻层，以图案化光阻层为罩幕，进行一般的蚀刻技术，在蚀刻结束后，并加入四氟化碳及二氮化二氢气体，四氟化碳可以减少知技术因三氯化铝所产生的铝腐蚀，并藉由此二气体与沉积在反应腔室内壁、反应腔室内之设备及铝金属导电层侧壁之聚合物进行反应，可以达到减少沉积物的功效，使定期维修保养的次数减少及二次清洗平均间隔时间拉长，节省成本。