发明名称 SEMICONDUCTOR MAGNETOSENSITIVE SENSOR
摘要 <p>Полупроводниковият магниточувствителен сензор съдържа полупроводникова подложка (1) с n-тип примесна проводимост, върху едната страна на която са формирани четири омични контакти първи (2), втори (3), трети (4) и четвърти (5), разположени на равни разстояния, и токоизточник (10). Външното магнитно поле (11) е приложено перпендикулярно на напречното сечение на подложката (1). Към всеки един от омичните контакти (2, 3, 4 и 5) са включени съответнотоварни резистори (6, 7, 8 и 9) с една и съща стойност. Резисторите (6 и 9) към първия (2) и четвъртия (5) омичен контакт са свързани с единия извод на токоизточника (10), а резисторите (7 и 8) към втория (3) и третия (4) контакт - с другия извод натокоизточника (10). Изходи (12 и 13) на сензора са вторият (3) и третият (4), и съответно първият (2) и четвъртият (5) омичен контакт.</p>
申请公布号 BG65526(B1) 申请公布日期 2008.10.31
申请号 BG20030107638 申请日期 2003.03.18
申请人 ROUMENIN CHAVDAR 发明人 ROUMENIN CHAVDAR
分类号 H01L43/08;G01R33/06;G01R33/07;G01R33/09;H01L43/06 主分类号 H01L43/08
代理机构 代理人
主权项
地址