| 发明名称 | 外谐振腔半导体激光器及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种用于外谐振腔单模式激光器的设计，其中用于光谐振腔(例如，～3－25mm)的短光学路径长度提供允许单波长选择元件例如微加工标准具的纵向模式的足够空间，以便提供单一模式操作和可选的可选择操作模式。 | ||
| 申请公布号 | CN101295855A | 申请公布日期 | 2008.10.29 |
| 申请号 | CN200710300512.X | 申请日期 | 2004.05.21 |
| 申请人 | 罗姆和哈斯电子材料有限责任公司 | 发明人 | 大卫·W·沙拉;罗辉 |
| 分类号 | H01S5/14(2006.01) | 主分类号 | H01S5/14(2006.01) |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 陈文青 |
| 主权项 | 1.一种外谐振腔式半导体激光器，包括：激光增益介质，用于提供光辐射的光源；设置成与该增益介质光通讯的外部光学谐振腔，该谐振腔的尺寸足够短，以便允许单波长选择器件选择并维持单纵向发射激光模式，并在该腔的纵向模式之间选择地分立模式跃变；以及在外部光学谐振腔中设置的单波长选择器件，以便选择并维持单纵向发射激光模式，并在该腔的纵向模式之间选择地分立模式跃变。 | ||
| 地址 | 美国马萨诸塞州 | ||