| 发明名称 | 半导体器件的制造方法以及加速度传感器 | ||
| 摘要 | 本发明的目的在于提供在形成与半导体衬底例如搭载加速度传感器的硅衬底接触的电极时，降低光致抗蚀剂覆盖的台阶的技术，而且，为了达到上述目的，在形成牺牲层(4)或者半导体膜(50)和固定电极(51)之前，形成用于形成电极(90)的开口(80)，由此不需要厚的光致抗蚀剂。 | ||
| 申请公布号 | CN100429791C | 申请公布日期 | 2008.10.29 |
| 申请号 | CN03806400.6 | 申请日期 | 2003.01.29 |
| 申请人 | 三菱电机株式会社 | 发明人 | 奥村美香;堀川牧夫;佐藤公敏 |
| 分类号 | H01L29/84(2006.01);G01P15/125(2006.01) | 主分类号 | H01L29/84(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王永刚 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于具备：(a)在设置于半导体衬底上的绝缘层的表面上形成布线的工序；(b)选择性地去除上述绝缘层以设置使上述半导体衬底露出的第1开口的工序；(c)在上述工序(b)之后，在上述绝缘层的上方形成具有使上述布线的中央部分露出的第2开口和包括上述第1开口且比该第1开口大的第3开口的牺牲层的工序；(d)在上述工序(c)中得到的构造的整个面上形成导电性半导体的工序；(e)在上述导电性半导体上形成第1掩模的工序；(f)使用上述第1掩模进行上述导电性半导体的腐蚀，形成与上述布线连接的第1电极的工序；(g)在上述工序(f)中得到的构造的整个面上形成导电膜的工序；(h)选择性地去除上述导电膜以形成与上述第1开口中的上述半导体衬底接触的第2电极的工序；以及(i)去除上述牺牲层的工序。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||