发明名称 带有VMOS阴极结构的平板显示器及其制作工艺
摘要 本发明涉及到碳纳米管阴极的平面场致发射显示器的器件制作,特别涉及到带有VMOS阴极结构的平面场致发射显示器及其制作工艺,该带有VMOS阴极结构的平板发光显示器包括有如下组成部分:由阴极玻璃面板、阳极玻璃面板和四周玻璃围框构成的密封真空腔;在阳极玻璃面板上有阳极电极层以及印刷在阳极电极层上的荧光粉层;用于控制碳纳米管电子发射的控制栅极;在阴极玻璃面板上有印刷的碳纳米管阴极以及VMOS阴极结构;支撑墙结构及其消气剂附属元件,制作了VMOS阴极结构,用于调节阴极电极层中的电流值,进而调节碳纳米管阴极上的电压,以便于确保碳纳米管能够均匀稳定的发射大量的电子,具有制作过程稳定可靠、制作工艺简单、制作成本低廉、结构简单的优点。
申请公布号 CN100429738C 申请公布日期 2008.10.29
申请号 CN200510125632.1 申请日期 2005.12.02
申请人 中原工学院 发明人 李玉魁
分类号 H01J31/12(2006.01);H01J29/04(2006.01);H01J1/304(2006.01);H01J9/02(2006.01) 主分类号 H01J31/12(2006.01)
代理机构 郑州科维专利代理有限公司 代理人 刘卫东
主权项 1、一种带有VMOS阴极结构的平板发光显示器,包括由阴极玻璃面板[1]、阳极玻璃面板[11]和四周玻璃围框[17]构成的密封真空腔、设置在阳极玻璃面板[11]上的阳极电极层[12]以及印刷在阳极电极层上的荧光粉层[14]、用于控制碳纳米管电子发射的控制栅极[9]、在阴极玻璃面板[1]上有印刷的碳纳米管阴极[10]、支撑墙结构[16]及其消气剂[15]附属元件,其特征在于:在阴极玻璃面板[1]上设置有用于调节阴极电极层中的电流值,进而调节碳纳米管阴极上的电压,以便于确保碳纳米管能够均匀稳定的发射大量的电子的VMOS阴极结构。
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