| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体器件及其制造方法。在形成铁电电容器之后，形成与铁电电容器连接的Al布线(导电焊盘)。然后，在Al布线周围形成氧化硅膜和氮化硅膜。随后，形成Al<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>膜，作为抑制水分渗入到氧化硅膜中的防渗膜。 | ||
| 申请公布号 | CN100429744C | 申请公布日期 | 2008.10.29 |
| 申请号 | CN200510092678.8 | 申请日期 | 2005.08.19 |
| 申请人 | 富士通株式会社 | 发明人 | 永井孝一;斋藤仁;菅原薰;高桥诚;工藤正仁;浅井一弘;宫崎幸正;佐藤胜广;西乡薰 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01);H01L21/314(2006.01) | 主分类号 | H01L21/00(2006.01) |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 张龙哺;郑特强 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件，包括：元件；导电焊盘，其设置在芯片的外围，并经由布线与所述元件连接；氧化硅膜，其形成在所述导电焊盘周围；以及防渗膜，其抑制氢和水分渗入到所述氧化硅膜中。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||