| 摘要 |
n#sP!-#eP!型半导体区(3)内，形成作为汲极区的n#sP!-#eP!扩散区(5)，而在n#sP!-#eP!扩散区(5)的一侧，形成p扩散区(7)、以及作为源极区的n#sP!+#eP!扩散区(8)。在n#sP!-#eP!扩散区(5)的另一侧，形成沟渠部(10)，并填充绝缘体12。n#sP!-#eP!扩散区(5)的正下方，形成p#sP!-#eP!埋入层(13)。n#sP!-#eP!型半导体区(3)的区域内，形成施加高电位的n#sP!+#eP!扩散区(14)，经由具有电阻(R)的配线(20)电气连接至n#sP!-#eP!扩散区(5)。n#sP!+#eP!扩散区(8)与n#sP!-#eP!扩散区(5)所夹的p扩散区(7)的部分表面上，闸极绝缘膜(19)介于其中而形成闸极电极(17)。 |
