记忆体元件及其制造方法

摘要

一种记忆元件之制造方法。首先，提供一具有沟槽之基底，沟槽电容器设置于沟槽之下半部、一导电柱设置于沟槽中且电性连接沟槽电容器，一领形介电层围绕沟槽电容器以上之沟槽侧壁，一顶部介电层设置于沟槽顶端，一闸极结构设置于邻近沟槽之基底上，闸极结构两侧之基底分别为一位元线侧区和一电容器侧区，闸极结构两侧分别设置有一闸极间隙壁，邻近沟槽之闸极间隙壁至少覆盖部分电容器侧区之基底。其后，于沟槽之领形介电层和闸极结构间之基底中形成一开口。接着，移除邻近开口之部分顶部介电层及部分领形介电层，以暴露部分导电柱，并移除覆盖电容器侧区基底之部分闸极间隙壁。后续，沉积一绝缘层于闸极结构、开口中及暴露之导电柱上，蚀刻绝缘层，以暴露部分电容器侧区之基底及部分导电柱。接下来，以一选择性沉积法，形成一传导带电性连接电容器侧区之基底及导电柱。