| 发明名称 | 半导体装置的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体装置的制造方法。在步骤(S101)中，利用溅射法形成TiW膜，以覆盖在半导体元件的表面上形成的表面保护膜及焊盘电极。接着，在TiW膜上形成Au膜。在步骤(S103)中，使用Au膜作为电镀用电极，在Au膜上形成Au凸起。在步骤(S105)中，去除不需要的Au膜，在步骤(S106)中，去除不需要的TiW膜。在步骤(S107)中，去除残留在去除了需要TiW膜的区域的碘。 | ||
| 申请公布号 | CN101286465A | 申请公布日期 | 2008.10.15 |
| 申请号 | CN200810100340.6 | 申请日期 | 2008.04.10 |
| 申请人 | 夏普株式会社 | 发明人 | 二江则充;堀尾正弘;泽井敬一;渡边裕二;小山康弘;川上克二 |
| 分类号 | H01L21/60(2006.01) | 主分类号 | H01L21/60(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 闫小龙;刘宗杰 |
| 主权项 | 1.一种半导体装置的制造方法，该半导体装置包括表面具有电极焊盘的半导体元件，其特征在于，该方法具有如下步骤：在所述半导体元件的表面和所述焊盘电极之上形成金属膜；在所述金属膜上，以与所述焊盘电极重叠的方式形成金属制的凸起；以湿法刻蚀去除不与所述焊盘电极重叠的所述金属膜；以及对所述金属膜被去除后的区域的卤族元素进行去除。 | ||
| 地址 | 日本大阪府大阪市 | ||