| 发明名称 | 包含电容器的集成电路装置及制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一集成电路装置(120)的详细说明以及其它细节，所述的集成电路装置包含一晶体管(122)，最好为一所谓的FinFET，以及一电容器(124)。所述的电容器(124)的底部电极于一SOI基板上与所述的晶体管(122)的一沟道区域设置在一起。所述的电路装置(120)可以简单的制造而且具有显著的电子特性。 | ||
| 申请公布号 | CN101286517A | 申请公布日期 | 2008.10.15 |
| 申请号 | CN200810100510.0 | 申请日期 | 2003.10.10 |
| 申请人 | 因芬尼昂技术股份公司 | 发明人 | R·布雷德洛;J·哈特维奇;C·帕查;W·雷斯纳;T·舒尔滋 |
| 分类号 | H01L27/12(2006.01);H01L27/06(2006.01);H01L27/108(2006.01);H01L27/115(2006.01);H01L21/84(2006.01);H01L21/822(2006.01);H01L21/8242(2006.01);H01L21/8247(2006.01) | 主分类号 | H01L27/12(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 卢江;王小衡 |
| 主权项 | 1.一种集成电路装置(120)，其具有一绝缘区域，以及具有至少一序列的区域，所述的序列的区域形成一电容器(124)并且依序包含：接近该绝缘区域的一电极区域(34)；一介电层区域(46)；以及远离该绝缘区域的一电极区域(56)；其中该绝缘区域为设置在一平面上的一绝缘层(14)的一部份，而该电容器(124)以及在该集成电路(120)上的至少一有源组件(122)设置在该绝缘层(14)的同一侧，而所述接近绝缘区域的电极区域(34)以及该有源组件(122)的一有源区域(82)设置在与用来设置该绝缘层(14)的平面相互平行的一平面上，所述接近绝缘区域的电极区域(34)为含有多个网状结构的一单晶体的区域。 | ||
| 地址 | 德国慕尼黑 | ||