发明名称 半导体封装及层叠型半导体封装
摘要 半导体封装是由半导体装置芯片和具有热可塑性的绝缘树脂层的可挠性基板构成的。设置在可挠性基板上的电极与上述半导体装置芯片规定的电极连接,并且由热可塑性绝缘树脂层密封,而且上述可挠性基板可弯曲,在电极形成面和其它面上设置电极。该可挠性基板中配线被多层化,在可挠性基板的弯曲部分或包含弯曲部分的区域形成槽,或者,形成配线层数不同的薄层部,在半导体装置安装部形成凹部。并且,在规定位置弯曲上述可挠性基板,形成不依赖上述半导体装置芯片的外形尺寸的半导体封装。
申请公布号 CN101286492A 申请公布日期 2008.10.15
申请号 CN200810092146.8 申请日期 2003.11.19
申请人 日本电气株式会社 发明人 枦山一郎;曾川祯道;山崎隆雄;北城荣
分类号 H01L23/498(2006.01);H01L23/538(2006.01);H01L25/00(2006.01) 主分类号 H01L23/498(2006.01)
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 代理人 汪惠民
主权项 1、一种半导体封装,具备:在电路表面上具有1个或多个装置侧电极的半导体装置;和可挠性基板,具有配线图案和设置在该配线图案的一面或两面上的热可塑性绝缘层,并在上述半导体装置周围被弯曲,其中上述可挠性基板具有:第1电极,设置在上述半导体装置侧面上,与上述半导体装置的上述装置侧电极连接,并且由上述热可塑性绝缘层密封;和第2电极,被设置在与设置了上述第1电极的面不同的面上,在上述可挠性基板上至少形成2层或以上的配线图案,在上述可挠性基板的一部分上形成配线层数较少的部位。
地址 日本东京都