发明名称 PROCEDE DE REALISATION DE DEPOTS LOCALISES
摘要 L'invention concerne un procédé de réalisation d'un dépôt (14) non continu d'un premier matériau sur un substrat (2), comportant :a) la formation d'un masque sur ce substrat, par formation d'au moins deux couches (4, 6) de masque, et gravure d'au moins une cavité (10', 10', 12, 12') dans ces couches, cette cavité ayant un profil tel que d'un dépôt, réalisé sur le substrat, à travers les cavités du masque, présente au moins une discontinuité sur ledit profil de la cavité,b) le dépôt du premier matériau sur le substrat, à travers les cavités du masque, ce dépôt comportant au moins une discontinuité sur le profil de ladite cavité,c) l'élimination du masque.
申请公布号 FR2914781(A1) 申请公布日期 2008.10.10
申请号 FR20070054249 申请日期 2007.04.03
申请人 COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ETABLISSEMENT PUBLIC A CARACTERE INDUSTRIEL ET COMMERCIAL 发明人 REMIAT BRUNO;VANDROUX LAURENT;SOUCHE FLORENT
分类号 H01L21/033;H01L21/283;H01L31/18 主分类号 H01L21/033
代理机构 代理人
主权项
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