发明名称 热传感器及其操作方法
摘要 一种热传感器,包括具有第一和第二输入节点的比较器。参考电压发生器与第一输入节点电连接。参考电压发生器被配置为提供基本上与温度无关的参考电压。温度感测电路与第二输入节点电连接。温度感测电路被配置为提供依赖于温度的电压。温度感测电路包括电流反射镜。第一金属氧化物半导体(MOS)晶体管电连接在电流反射镜和地之间。第一电阻器与电流反射镜电连接。第二MOS晶体管与第一电阻器串联电连接。第二MOS晶体管和第一电阻器以并联的方式与第一MOS晶体管电连接。
申请公布号 CN105784158A 申请公布日期 2016.07.20
申请号 CN201610171935.5 申请日期 2011.10.20
申请人 台湾积体电路制造股份有限公司 发明人 隋彧文
分类号 G01K7/01(2006.01)I;G01K7/16(2006.01)I 主分类号 G01K7/01(2006.01)I
代理机构 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 代理人 章社杲;李伟
主权项 一种热传感器,包括:比较器,具有第一输入节点和第二输入节点;参考电压发生器,与所述比较器的所述第一输入节点电连接,所述参考电压发生器被配置为提供基本上独立于温度的参考电压;以及与绝对温度互补CTAT感测电路,与所述比较器的所述第二输入节点电连接,所述CTAT感测电路被配置为提供依赖于温度的电压,其中,所述CTAT感测电路包括:电流反射镜;第一金属氧化物半导体MOS晶体管,电连接在所述电流反射镜与地之间,其中,第一节点在所述第一MOS晶体管与所述电流反射镜之间;第一电阻器,与所述电流反射镜电连接,其中,第二节点在所述第一电阻器与所述电流反射镜之间;以及第二MOS晶体管,与所述第一电阻器串联电连接,其中,所述第二MOS晶体管和所述第一电阻器以并联的方式与所述第一MOS晶体管电连接,并且所述第一MOS晶体管和所述第二MOS晶体管在所述热传感器的感测操作期间在子阈域中进行操作;其中,所述参考电压发生器包括:电流反射镜;第六金属氧化物半导体MOS晶体管,电连接在所述参考电压发生器的电流反射镜与地之间,其中,第五节点在所述第六MOS晶体管与所述电流反射镜之间;第五电阻器,与所述参考电压发生器的电流反射镜电连接,其中,第六节点在所述第五电阻器与所述参考电压发生器的电流反射镜之间;以及第七MOS晶体管,与所述第五电阻器串联电连接,其中,所述第七MOS晶体管和所述第五电阻器以并联的方式与所述第六MOS晶体管电连接;第八MOS晶体管,与电源电压电连接,其中,所述第八MOS晶体管的栅极与所述参考电压发生器的电流反射镜电连接;第六电阻器,与所述第八MOS晶体管串联电连接,其中,所述第八MOS晶体管和所述第六电阻器之间的第七节点与所述比较器的所述第一输入节点电连接;所述热传感器还还包括:第三MOS晶体管,与电源电压电连接;第四MOS晶体管,与所述第三MOS晶体管串联电连接;第二电阻器,电连接在所述第一节点与所述第三晶体管和所述第四晶体管之间的第三节点之间;以及第三电阻器,电连接在所述第三节点和所述第二节点之间。
地址 中国台湾,新竹