| 发明名称 |
PROCEDE DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF A GRADIENT DE CONCENTRATION ET DISPOSITIF CORRESPONDANT. |
| 摘要 |
Procédé de fabrication d'un dispositif semiconducteur, comprenant la formation au sein d'un substrat semiconducteur (1) d'au moins une région continue (4) formée d'un matériau présentant une composition non uniforme dans une direction sensiblement perpendiculaire à l'épaisseur du substrat (1). |
| 申请公布号 |
FR2914783(A1) |
申请公布日期 |
2008.10.10 |
| 申请号 |
FR20070054226 |
申请日期 |
2007.04.03 |
| 申请人 |
STMICROELECTRONICS SA SOCIETE ANONYME;STMICROELECTRONICS (CROLLES) 2 SAS |
发明人 |
BENSAHEL DANIEL CAMILLE;MORAND YVES |
| 分类号 |
H01L29/12;H01L21/30 |
主分类号 |
H01L29/12 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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