Metall-Oxid-Halbleiter-Struktur und Verfahren zum Bilden eines Bit-Leitung-Kontaktstöpsels

摘要

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Bilden eines Bit-Leitung-Kontaktstöpsels (108), wobei das Verfahren umfasst: das Bereitstellen eines Substrates (100) einschließlich eines Transistors (101), der eine Gatestruktur (102) und einen Source-/Drain-Bereich (103) an beiden Seiten der Gatestruktur (102) umfasst; das Bilden einer leitfähigen Schicht (104), einer Bit-Leitung-Kontaktmaterialschicht (105) und einer Hartmaskenschicht (106); das Ausführen eines Ätzprozesses, wobei die leitfähige Schicht (104) als eine Ätzstoppschicht verwendet wird, um die Bit-Leitung-Kontaktmaterialschicht (105) und die Hartmaskenschicht (106) zu ätzen und den Bit-Leitung-Kontaktstöpsel (108) auf dem Source-/Drain-Bereich (103) zu bilden. Eine Transistorstruktur (200) umfasst eine Gatestruktur (221) und einen Source-/Drain-Bereich an beiden Seiten der Gatestruktur (221), eine leitfähige Schicht (230), die einen Teil der Gatestruktur (221) bedeckt und mit dem Source-/Drain-Bereich (222) verbunden ist, und einen Bit-Leitung-Kontaktstöpsel (240), der auf der leitfähigen Schicht (230) angeordnet und direkt damit verbunden ist.