Halbleiterspeicherbauelement mit mehreren Speicherfeldern und zugehöriges Datenverarbeitungsverfahren,申请号DE20031035012-传众专利搜索

发明名称	Halbleiterspeicherbauelement mit mehreren Speicherfeldern und zugehöriges Datenverarbeitungsverfahren
摘要
申请公布号	DE10335012(B4)	申请公布日期	2008.10.02
申请号	DE20031035012	申请日期	2003.07.23
申请人	SAMSUNG ELECTRONICS CO. LTD.	发明人	YANG, HYANG-JA;PARK, CHUL-SUNG;NOH, YONG-HWAN;JO, YUN-JIN
分类号	G11C7/00;G11C11/41;G11C7/06;G11C7/10;G11C8/00;G11C11/401;G11C11/4076;G11C11/408;G11C11/4097;G11C11/413	主分类号	G11C7/00
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