Verfahren zum Erzeugen einer Zugverspannung durch wiederholtes Anwenden von Verspannungsgedächtnisverfahren

摘要

Durch Einführen zusätzlicher verformungsinduzierender Mechanismen auf der Grundlage von Verspannungsgedächtnistechnologien kann das Leistungsverhalten von NMOS-Transistoren deutlich verbessert werden, wodurch das Ungleichgewicht zwischen PMOS-Transistoren und NMOS-Transistoren verringert wird. Durch Amorphisieren und Rekristallisieren des entsprechenden Materials in Anwesenheit einer Maskenschicht in diversen Stadien des Fertigungsprozesses kann eine Durchlassstromverbesserung von bis zu ungefähr 27% beobachtet werden, wobei die Möglichkeit für weitere Leistungssteigerungen gegeben ist.