Lateraler Hochvolt-MOS-Transistor mit RESURF-Struktur

摘要

Zur Erzielung einer verbesserten Kombination eines On-Widerstands bei hoher Durchbruchsspannung hat lateraler Hochvolt-MOS-Transistor eine Vielzahl RESURF-Dotierungsgebiete vom ersten Leitfähigkeitstyp im Driftgebiet, wobei die RESURF-Dotierungsgebiete von einander sowohl in einer ersten lateralen Richtung (y), die zur Substratoberfläche parallel und zu einer Verbindungslinie von Sourcegebiet zu Draingebiet senkrecht steht, als auch in einer zur Substratoberfläche senkrecht stehenden Tiefenrichtung (z) durch Driftgebiet-Abschnitte getrennt sind, derart, dass in den genannten zwei Richtungen jeweils eine alternierende Anordnung von Gebieten des ersten und zweiten Leitfähigkeitstyps vorliegt.