发明名称 Verfahren zum Herstellen eines Lumineszenzdiodenchips und Lumineszenzdiodenchip
摘要 Es wird ein Verfahren zum Herstellen mindestens eines Lumineszenzdiodenchips (1) angegeben, der mit einem Lumineszenzkonversionsmaterial (2) versehen ist, das mindestens einen Leuchtstoff (22) aufweist. Ein Grundkörper (4) wird bereitgestellt, der eine Schichtenfolge für den Lumineszenzdiodenchip (1) aufweist, die geeignet ist, eine elektromagnetische Strahlung zu emittieren. Auf zumindest einer Hauptfläche des Grundkörpers (41) wird eine Deckschicht (21) aufgebracht. Gemäß einer vorgestellten Ausführungsform ist die Deckschicht (21) photostrukturierbar. In die Deckschicht (21) wird mindestens eine Kavität (31, 32) eingebracht. Es wird mindestens ein Leuchtstoff (22) auf die Deckschicht (21) aufgebracht und eine Haftung zwischen zumindest einem Teil des Leuchtstoffs (22) und der Deckschicht (21) ausgebildet oder verstärkt. Zudem wird ein mit dem Verfahren hergestellter Lumineszenzdiodenchip (1) angegeben.
申请公布号 DE102007018837(A1) 申请公布日期 2008.10.02
申请号 DE200710018837 申请日期 2007.04.20
申请人 OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH 发明人 ALBRECHT, TONY;FISCHER, HELMUT;WEININGER, IRENE
分类号 H01L25/075;H01L33/00;H01L33/44;H01L33/50 主分类号 H01L25/075
代理机构 代理人
主权项
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