发明名称 Herstellungsverfahren für eine Transistor-Gatestruktur
摘要
申请公布号 DE102006053930(B4) 申请公布日期 2008.10.02
申请号 DE200610053930 申请日期 2006.11.15
申请人 QIMONDA AG 发明人 FITZ, CLEMENS;BUERKE, AXEL;HAHN, JENS;JAKUBOWSKI, FRANK;MONO, TOBIAS;REGUL, JOERN;SCHMIDBAUER, SVEN
分类号 H01L21/336 主分类号 H01L21/336
代理机构 代理人
主权项
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