| 摘要 |
于一印制基板之光罩误差系数(MEF)改变与光网线宽变化所造成的线宽变化与偏量系受到控制，藉着修正在不同空间位置之曝光剂量与部分同调。于一种用以投影一光网的影像于一光敏基板上之光微影装置中，一可调整缝隙系运用结合一部分同调调整器，以改变在不同空间位置之由光敏基板所接收的曝光剂量与该系统之部分同调。关于一光网之在不同空间位置的线宽变化与水平及垂直或方位偏量系计算或测量，且在所需的空间位置之一修正的曝光剂量与部分同调系决定，以补偿于印制基板上的线宽变化与偏量。一影像之改善印制系得到，以造成较小特征尺寸半导体元件与较高生产量之制造。 |
