发明名称 多磁区记忆装置及磁区分割方法
摘要 本发明揭露一种多磁区记忆装置与磁区分割方法,藉由利用一跨接器插设于具有一内接插槽之记忆卡上,可分开独立或同时控制记忆卡内复数个记忆体晶粒。其组合成之记忆装置具有与市面上记忆卡相容之规格与尺寸,故可相容使用于所需产品上且不会影响薄型记忆卡的插接。
申请公布号 TW200839600 申请公布日期 2008.10.01
申请号 TW096111366 申请日期 2007.03.30
申请人 力成科技股份有限公司 发明人 吴智伟;徐宏欣
分类号 G06F3/06(2006.01) 主分类号 G06F3/06(2006.01)
代理机构 代理人 蔡朝安
主权项
地址 新竹县湖口乡新竹工业区大同路26号