发明名称 | 多磁区记忆装置及磁区分割方法 | ||
摘要 | 本发明揭露一种多磁区记忆装置与磁区分割方法,藉由利用一跨接器插设于具有一内接插槽之记忆卡上,可分开独立或同时控制记忆卡内复数个记忆体晶粒。其组合成之记忆装置具有与市面上记忆卡相容之规格与尺寸,故可相容使用于所需产品上且不会影响薄型记忆卡的插接。 | ||
申请公布号 | TW200839600 | 申请公布日期 | 2008.10.01 |
申请号 | TW096111366 | 申请日期 | 2007.03.30 |
申请人 | 力成科技股份有限公司 | 发明人 | 吴智伟;徐宏欣 |
分类号 | G06F3/06(2006.01) | 主分类号 | G06F3/06(2006.01) |
代理机构 | 代理人 | 蔡朝安 | |
主权项 | |||
地址 | 新竹县湖口乡新竹工业区大同路26号 |