| 摘要 |
一种半导体晶片嵌埋结构，系包括有具相对第一及第二表面之承载板，且该承载板具有至少一开口；容置于该开口中之半导体晶片，该半导体晶片具有一主动面及与其相对之非主动面，且该主动面具复数电极垫，于该主动面具有一钝化层并露出该电极垫，又于该电极垫表面具有金属垫；形成于该承载板第一表面及半导体晶片钝化层及金属垫表面之缓冲层；形成于该缓冲层表面之第一介电层；以及形成于该第一介电层表面之第一线路层，且该第一线路层可藉由形成于该缓冲层及第一介电层中之第一导电结构以电性连接至该半导体晶片之金属垫；俾藉由该缓冲层以降低该介电层与半导体晶片接合面之应力。 |
