发明名称 CIS系薄膜太阳电池副模组之制造系统
摘要 本发明的课题:针对具有金属背面电极层、p型CIS系光吸收层、n型高阻抗缓冲层、n型透明导电膜窗膜层等的薄膜制膜步骤之CIS系薄膜太阳电池的制造系统,令上述薄膜层整体来进行制膜在特定单位张数的基板上之各分批步骤,连结成直列型,以解决该处理速度的不一致。本发明的CIS系薄膜太阳电池副模组之制造系统,是一种由依序令金属背面电极层、p型CIS系光吸收层、n型高阻抗缓冲层以及n型透明导电膜窗膜层层积在一起来进行制膜在基板上的步骤所组成的CIS系薄膜太阳电池副模组之制造系统,其特征为:在上述各制膜步骤前,配置暂时保管基板之列缓冲器(line buffer)。
申请公布号 TW200840066 申请公布日期 2008.10.01
申请号 TW096115593 申请日期 2007.05.02
申请人 昭和砚壳石油股份有限公司 发明人 栉屋胜巳
分类号 H01L31/042(2006.01) 主分类号 H01L31/042(2006.01)
代理机构 代理人 林志刚
主权项
地址 日本