发明名称 浸润式曝光用敏辐射线性树脂组成物及光阻图型之形成方法
摘要 本发明之目的为提供所得到的图型形状良好,焦点深度优异,对浸润式曝光时所接触的水等之浸润介质的溶出物之量少,且可抑制气泡缺陷的产生之浸润式曝光用敏辐射线性树脂组成物以及使用其的光阻图型形成方法。本发明的浸润式曝光用敏辐射线性树脂组成物,系含有含氟化烷基,氟含量为3原子%以上,且藉由酸的作用成为硷可溶性的聚合物(A),及藉由酸的作用成为硷可溶性,且氟含量为低于3原子%的树脂(B),以及敏辐射线性酸产生剂(C)之树脂组成物;将该树脂组成物涂布在基板上而形成的光阻膜,对于水的前进接触角系95度以下。
申请公布号 TW200839449 申请公布日期 2008.10.01
申请号 TW097101380 申请日期 2008.01.14
申请人 JSR股份有限公司 发明人 西村幸生;原田健太郎;若松刚史;中岛浩光;中川大树;松村信司
分类号 G03F7/039(2006.01);H01L21/027(2006.01) 主分类号 G03F7/039(2006.01)
代理机构 代理人 林志刚
主权项
地址 日本