制造深沟渠电容器之方法及其应用

摘要

一种制造深沟渠电容器之方法，其系于形成领氧化层之前，先形成一光阻层以覆盖部分深沟渠及介电层，从而于深沟渠中形成一未完全环绕深沟渠侧壁之领氧化层且保留部分介电层于经该光阻层覆盖之环状区域，以提高深沟渠电容器之介电面积并增加其电容值。该方法可应用于动态随机存取记忆体之制造，以符合所需之高积集度要求。