| 摘要 |
[课题]本发明系提供：为了有效率地实施辅助配线形成用层积体与透明导电膜的图案化，所以在藉由光微影法而对透明导电膜施加图案化时，抑制对于透明导电膜用的蚀刻剂之辅助配线的腐蚀，而得到辅助配线及附有透明辅助配线之电极基体的制造方法。[解决手段]对于在基体上具备有透明导电膜与被图案化之辅助配线的基体，藉由光微影法而在透明导电膜上平面状地施加图案化的附有辅助配线之电极基体的制造方法，以：前述辅助配线，系从基体侧起，依序包含有以Al又或是Al合金为主成分之导体层以及盖帽层，未藉由光阻剂而被被覆之前述辅助配线的宽幅方向之露出，系为4μm以下，且，在前述透明导电膜之蚀刻中所使用之蚀刻剂，系为非氧化性之酸，作为其特征的附有辅助配线之电极基体的制造方法。 |
