| 发明名称 | 抗蚀剂图案的形成方法和通过该方法制造的半导体装置 | ||
| 摘要 | 根据本发明的某实施方式，提供抗蚀剂图案的形成方法，该方法为在形成有被加工膜的半导体装置的基板上配置物镜，在物镜与基板之间形成液膜进行曝光的通过浸液曝光形成抗蚀剂图案的方法，其特征在于，对用至少含有拒水化剂和溶剂的拒水化剂药液处理了的基板进行曝光。 | ||
| 申请公布号 | CN101276158A | 申请公布日期 | 2008.10.01 |
| 申请号 | CN200810088573.9 | 申请日期 | 2008.03.28 |
| 申请人 | 株式会社瑞萨科技 | 发明人 | 石桥健夫;寺井护;萩原琢也;山口敦美 |
| 分类号 | G03F7/20(2006.01);G03F7/16(2006.01);G03F7/26(2006.01);H01L21/027(2006.01) | 主分类号 | G03F7/20(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 庞立志;李平英 |
| 主权项 | 1.抗蚀剂图案的形成方法，该方法为在形成有被加工膜(2)的半导体装置的基板(1)上配置物镜，在所述物镜与所述基板(1)之间形成液膜进行曝光的通过浸液曝光形成抗蚀剂图案的方法，其特征在于，对用至少含有拒水化剂和溶剂的拒水化剂药液处理了的基板(1)进行曝光。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||