| 发明名称 | 用来改变氧化硅和氮化硅膜的介电性能的有机硅烷化合物 | ||
| 摘要 | 本发明公开了沉积具有提高的耐蚀刻性的、包含碳的氧化硅膜或者包含碳的氮化硅膜的方法。该方法包括采用包含硅的前体、包含碳的前体和化学改性剂。本发明也公开了沉积具有提高的耐蚀刻性的氧化硅膜或者氮化硅膜的方法，包括采用有机硅烷前体和化学改性剂。 | ||
| 申请公布号 | CN101275219A | 申请公布日期 | 2008.10.01 |
| 申请号 | CN200710306176.X | 申请日期 | 2007.11.28 |
| 申请人 | 气体产品与化学公司 | 发明人 | 萧满超;H·斯里丹达姆;E·J·小卡瓦基;雷新建 |
| 分类号 | C23C16/22(2006.01);C23C16/30(2006.01);C23C16/40(2006.01);C23C16/34(2006.01) | 主分类号 | C23C16/22(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 段晓玲;韦欣华 |
| 主权项 | 1. 用于沉积具有提高的耐蚀刻性的含碳的氧化硅膜或含碳的氮化硅膜的方法，包括：提供包含硅的结构前体；提供包含碳的掺杂剂前体；将包含碳的掺杂剂前体和包含硅的结构前体混合，以得到混合比率Rm(包含碳的掺杂剂前体在混合物中的重量百分数)在2％和85％之间并具有流动速率Fm的混合物；提供具有流动速率Fc的化学改性剂；具有在25％和75％之间的流动比率R2，定义R2为R2＝Fm/Fc；和制备具有提高的耐蚀刻性的所述包含碳的氧化硅膜或者所述包含碳的氮化硅膜，其中耐蚀刻性随着碳结合的增加而提高。 | ||
| 地址 | 美国宾夕法尼亚州 | ||